上海新微半导体有限公司近日公布一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，申请公布号为cn118969796a，公布日期为2025年11月15日。天眼查信息显示了该专利详情。

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该专利设计了一种集成耗尽型器件和增强型器件的半导体器件及其制造方法。该器件包含：基底（包含耗尽型器件区和增强型器件区）；位于增强型器件区基底上的第二栅极结构；覆盖耗尽型器件区、增强型器件区及第二栅极结构的钝化层；位于耗尽型器件区钝化层上，并以钝化层作为栅介质层的第一栅极结构；以及位于第一栅极结构两侧基底上的第一源极金属和第一漏极金属，以及位于第二栅极结构两侧基底上的第二源极金属和第二漏极金属。 这项技术方案的关键在于实现了耗尽型器件和增强型器件的集成。